.
.
BOJACK IRF530 MOSFET Transistörler IRF530N 17A 100 V N-Kanal Güç MOSFET TO-220AB (10 Adet paketi)
Transistör tipi : MOSFET.Transistör polaritesi : N-Kanal.Boşaltma akımı (Id Max) : 17
A. Gerilim Vds Max : 100
V. Güç (Max) : 70
W.BOJACK IRF530
N MOSFET, analog devrelerde ve dijital devrelerde yaygın olarak kullanılabilen bir alan etkili transistördür.Temel parametreler : Bu İRF530
N-devlet direnç Rds(on) İÇİN-220
AB bir paket mevcuttur : 0.09 ohm Gerilim en yüksek : dikiş ±20
V Sayısı : 3 Çalışma Sıcaklığı : -55 °C-Tipik Bir : 0.47 °C/W Gerilimi Vds dava 175°C sıcaklık dayanımı birleşim +için : 100 Geçerli Kimliği sürekli : 135 Geçerli Idm darbe : 60
A Yüzey Cihaz Montaj : Delik Montaj kurşunsuz çevre koruma MOSFET.
Karakterislikler teklif
Alıcılar da seçin
2010 Yılında kurulan Chips Gate, elektronik bileşenler alanında profesyonel bir B2 B ve B2 C satın alma aracıdır.Stokta 200.000'den fazla hat var ve 1 ila 3 iş günü içinde gönder
Her türlü anahtarlama güç kaynağı, adaptör, şarj cihazı, elektrik ürünleri gücüne uygulanabilir.Bu sette temel ihtiyaçlarınızı karşılayacak toplam 370 adet transistör bul
Mos FetİGBTDrivers Configuration : Düşük Taraf; Numberof Outputs : Dörtlü; Peak Surge Current : 1.2 A;.Supply Voltage1Max (Vsup) : 18 V;.TC4467 Serisi 1.2 A 18 Vmax 15 Ohm Dörtlü Dü
Çıkış sayısı : Çift; Maksimum akım : 1.5 A; Çıkış gücü : 100 kΩ;.Supply Voltage1Max (Vsup) : 20 V;.MC Serisi 1.5 A 20 V 100 k Ohm SMT Yüksek Hızlı Çift MOSFET SürücüSOI
Düşük RDS (açık).Endüstri lideri kalite.Dinamik dv / dt Değerlendirmesi.Hızlı Geçiş.Tamamen Çığ Dereceli.Uluslararası Doğrultucudan gelen gelişmiş HEXFET Güç mosfet'ler
(Kt) PKanal 30 A (Tc) ENGELLEME (Ta), M3Paket : Bulk Part Durumu : Obsolete FET Türü : PChannel Technology : MOSFET (Metal Oksit) (Id) Mevcut Sürekli Drenaj @ 25°C : On 30 A (Tc) S